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杨佳、男、副教授、硕士导师。2006/09-2010/07在中南大学冶金系读本科，并获得学士学位。2010/09-2015/12在中南大学冶金系读博士（硕博连读）并获得博士学位。2016/03至今，在公司真空冶金国家工程实验室（2021年入选新序列国家工程研究中心后转设为“真空冶金国家工程研究中心”）工作。2018/01入选云南省“兴滇英才支持计划”青年人才”。2018/09--2018/12国家自然科学基金委工程与材料科学部工程科学一处兼聘教师。

承担本科生《新能源材料与器件导论》、研究生《冶金物理化学研究方法》的教学工作培养或辅助培养博士研究生3名、硕士研究生9名，其中国际研究生1名。

长期围绕有色金属冶金开展研究工作，主持国家和省部级科研项目3项，其他课题3项。参与完成包括国家“863”项目、国家优秀青年科学基金项目及云南省杰出青年科学基金项目在内的多项科研项目。国家自然科学基金工材一处函评专家，教育部学位与研究生教育发展中心学位论文评审专家，云南省科技厅科技人才专家，江西省科技厅科技专家，中国有色金属产业技术创新联盟专家委员会成员，minerals客座编辑，Frontiers in Chemistry、Journal of the Minerals、Journal of Electronic Materials审稿人。参加国内外学术会议10余次，在国内外期刊上发表论文30余篇，获得授权的国家发明专利20余项，成果被引量1000余次，H-指数20。

其中代表有：

发表的论文：

[1](co-author: Yanyun Fan） Jia Yang, Liangxing Jiang, et al. Effects of Illumination on the Electrochemical Behavior of Selenium Electrodeposition on ITO Substrates[J]. Journal of The Electrochemical Society, 2017, 164 (4): H225-H231. (SCI, IF=3.662).

[2] Jia Yang, Yanqing Lai, Yanyun Fan, Yan Jiang, Ding Tang, Liangxing Jiang, Fangyang Liu, Jie Li, Photoelectrochemical deposited Sb2Se3 thin films: deposition mechanism and characterization[J]. RSC advances, 2015, 5(104): 85592-85597. (IF=3.90).

[3] Jia Yang, Chun Huang, Liangxing Jiang, Fangyang Liu, Yanqing Lai, Jie Li,Yexiang Liu, Effects of hydrogen peroxide on electrodeposition of Cu(In,Ga)Se₂ thin films and band gap controlling[J]. Electrochimica Acta, 2014, 142: 208-214. (IF=4.086)

[4] Jia Yang, Fangyang Liu, Yanqing Lai, Jie Li, and Yexiang Liu, Photoelectrochemical Deposition of CuInSe₂ Thin Films[J]. Electrochemical and Solid-State Letters, 2012, 15(4): D19-D21. (IF=2.149)

[5] Zhang Jun, Ou Yuxue, Yang Jia*, Xu Baoqiang, Li Shaoyuan, Yang Bin, Ma Wenhui, Cao Chengsong. Fabrication of Sb2S3 Thin Films by Low-Temperature Plasma Sulfurizing Metallic Sb Layers[J]. ACS Appied Energy Materials, 2021, 4, 13860-13867. (IF: 6.024)

[6] Zhang Jun, Hou Kanwen, Huang Tao, Yang Jia*, Xu Baoqiang, Li Shaoyuan, Yang Bin, Ma Wenhui. Single-crystal Sb2S3 tube prepared by chemical vapor deposition for 1-cm photodetector application. ACS Applied Electronic Materials. 2022, 4(5): 2455–2462.  (IF: 4.46)

[7] Wei Wang, Shuai Wang, Jia Yang*, Chengsong Cao, Kanwen Hou, Lixin Xia, Jun Zhang, Baoqiang Xu, Bin Yang, Preparation of Antimony Sulfide and Enrichment of Gold bySulfuration-Volatilization from Electrodeposited AntimonyMinerals. 2022, 12(2):

[8] Jun Zhang, Yuxue Ou, Jia Yang*, Baoqiang Xu,Shaoyuan Li,Bin Yang, Wenhui Ma,Chengsong C ao, Fabrication of Sb₂S₃ Thin Films by Low-Temperature Plasma-Sulfurizing Metallic Sb Layers ACSApplied EnergyMaterials. 2021, 4(12): 13860-13867.

[9] 杨佳，赵联波，张坤，陈志伟，秦勤，刘芳洋，蒋良兴，赖延清，李劼，刘业翔，双靶共溅射Cu-Sb合金预制层后硫化法制备CuSbS₂光伏薄膜及其性能[J]. 中南大学学报(自然科学版)，2015，46（9）：3195-3202. (EI收录)

[10] 杨佳，李轶，张坤，陈志伟，袁腾飞，蒋良兴，刘芳洋，赖延清，李劼，电沉积合金预制层后硫化法制备铜锌锡硫薄膜及其光伏特性研究[J]. 中南大学学报(自然科学版)，2017，48（5）：3195-3202. (EI收录)

发表的专利：

[1] 刘芳洋, 顾鄂宁, 杨佳, 蒋良兴, 唐定, 李劼. 一种光电化学冶金提取半导体元素的方法: 中国, 201410211364.4 [P].

[2] 赖延清, 杨佳, 陈志伟, 刘芳洋, 苏正华, 张坤, 赵联波, 贾明, 李劼, 刘业翔. 一种铜锌锡硫光伏薄膜的制备方法: 中国, 201110435509.5[P].

[3] 刘芳洋, 赖延清, 杨佳, 李劼, 贾明, 刘业翔. 铜铟镓硒薄膜的光电化学沉积制备法: 中国, 201110189163.5[P].

[4] 赖延清, 杨佳, 蒋妍, 张坤, 赵联波, 蒋良兴, 李劼, 刘业翔, 刘芳洋. 一种柔性铜基硫属半导体薄膜太阳电池窗口层结构: 中国, 201410679914.5[P].

[8] 杨佳, 张君, 刘国豪, 王薇, 杨海艳, 司圣和, 欧于学, 徐宝强, 李绍元, 杨斌, 马文会, 熊恒, 蒋文龙, 李一夫, 田阳, 刘大春, 郁青春, 戴永年. 一种闪速热处理制备 硫化锑粉体的方法 ZL 2020 1 1014074.2 (已授权)

[9] 杨佳, 张君, 杨海艳, 王薇, 侯堪文, 黄滔, 张雅婷, 徐宝强, 李绍元, 杨斌, 马 文会, 熊恒, 刘大春, 李一夫, 田阳, 蒋文龙, 戴永年. 一种锑基光阴极 Sb₂S₃/Sb₂O₃ 异 质结结构及其制备方法 CN 113675283 A (已受理)

[10] 杨佳, 张君, 侯堪文, 王薇, 张雅婷, 黄滔, 杨海艳, 徐宝强, 李绍元, 杨斌, 马 文会, 熊恒, 蒋文龙, 李一夫, 田阳, 刘大春, 戴永年. 一种硫化锑微纳米管的制备方法 CN 113620343 A (已受理)

[11] 杨佳, 张君, 王薇, 侯堪文, 黄滔, 张雅婷, 杨海艳, 徐宝强, 李绍元, 杨斌, 马 文会, 熊恒, 蒋文龙, 李一夫, 田阳, 刘大春, 戴永年. 一种硫属化合物管状材料的制备 方法 CN 113666341 A (已受理)

[12] 戴永年, 刘国豪, 杨佳, 张君, 钱春旭, 徐宝强, 杨斌, 李绍元, 曲涛, 万贺利, 马文会, 李一夫, 田阳, 蒋文龙, 熊恒, 刘大春. 一种真空电化学沉积制备硒化物半导 体的方法 ZL 2020 1 1014076.1 (已授权)

[13] 杨佳, 曹成松, 张君, 王薇, 杨海艳, 侯堪文, 刘国豪, 徐宝强, 李绍元, 杨斌, 马文会, 熊恒, 蒋文龙, 李一夫, 田阳, 戴永年. 一种光电化学沉积槽 CN214327949U (已授权)

[14] 杨佳, 曹成松, 张君, 王薇, 杨海艳, 侯堪文, 刘国豪, 徐宝强, 李绍元, 杨斌, 马文会, 熊恒, 蒋文龙, 李一夫, 田阳, 刘大春, 郁青春, 戴永年. 一种光电化学沉积装置 CN214327941U (已授权)

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